Contribution à l’étude des propriétés structurales, élastiques et électroniques, du semi-conducteur InN

dc.contributor.authorHellali Fatiha
dc.date.accessioned2021-11-09T08:04:42Z
dc.date.available2021-11-09T08:04:42Z
dc.date.issued2021-09-15
dc.description.abstractDans ce travail, nous avons étudié les propriétés structurales, élastiques et électroniques du composé semi-conducteur InN (dans la phase zinc-blend). Dans cette étude nous avons utilisé un calcul ab-initio qui basé sur la théorie la fonctionnelle de la densité (DFT) combinée avec la méthode des pseudo-potentiel. Les calculs ont été effectués à l’équilibre et sous l’effet de la pression hydrostatique Nos résultats trouvés sont en très bon accord avec les données expérimentales et avec les valeurs calculées par d’autres études théoriques.en_US
dc.identifier.urihttp://10.10.1.6:4000/handle/123456789/1145
dc.language.isofren_US
dc.publisherFaculté des Sciences et Technologiesen_US
dc.relation.ispartofseries;SM/M/PH/2021/24
dc.titleContribution à l’étude des propriétés structurales, élastiques et électroniques, du semi-conducteur InNen_US
dc.typeThesisen_US

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