Source laser actives à l’application ionique
dc.contributor.author | Aziza, BOUBAITI | |
dc.date.accessioned | 2021-09-21T08:15:05Z | |
dc.date.available | 2021-09-21T08:15:05Z | |
dc.date.issued | 2014 | |
dc.description.abstract | L’objective de ce travail est l’étude des sources laser et ces applications ioniques. Après un rappel abrégé sur les lasers; nous présenterons les différentes solutions actuellement étudiées pour avoir l’effet d’une sources actif d’un Laser sur l’ionisation d’un semi-conducteur en conservant l’activation par un champs électrique secondaire plus une bonne qualité spectrale et spatiale des photons . Nous exposons les mécanismes physiques conduisant à l’arrachement et l’endommagement des matériaux semi-conducteur. Nous commençons tout d’abord par les mécanismes d’excitation des électrons dans la bande de conduction et puis on va traiter les mécanismes de recombinaison du plasma électrons-trous libres | en_US |
dc.identifier.uri | http://10.10.1.6:4000/handle/123456789/1018 | |
dc.language.iso | fr | en_US |
dc.publisher | Faculté des Sciences et Technologies | en_US |
dc.relation.ispartofseries | ;SM/L/PH/2014/17 | |
dc.title | Source laser actives à l’application ionique | en_US |
dc.type | Other | en_US |