Transistor bipolaire

Abstract

Cette étude bibliographique sur le transistor bipolaire nous permet de comprendre que celui-ci est un dispositif à trois éléments ou trois blocs formé de deux jonctions qui se partagent une couche semi-conductrice commune. Dans le cas du transistor NPN, la région commune de type P est prise en sandwich entre deux couches de type N. Les trois éléments qui correspondent à chacune des bornes d’un transistor bipolaire à jonctions sont l’émetteur, la base et le collecteur. Le niveau de dopage décroit d’un bout à l’autre de la structure. En régime dit "normal" de fonctionnement la jonction émetteur-base est polarisée dans le sens direct et la jonction collecteur-base est polarisée en sens inverse. Selon la polarisation du transistor bipolaire, celui-ci peut être en état bloqué, état saturé ou en état passant. Le transistor bipolaire a trois montages fondamentaux: Montage émetteur commun, le montage base commune et le montage collecteur commun. On a vu que le transistor était un amplificateur de courant dans le cas du montage émetteur commun : on va donc l'utiliser pour amplifier des signaux issus de sources diverses. Grâce au transistor, la technologie a considérablement évolué et ce, dans de très nombreux domaines très différents. Si bien que l'on en trouve de partout.