SIMULATION DES PROPRIETES ET PERFORMANCES DES CELLULES PHOTOVOLTAIQUES A BASE DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS TERNAIRES CdTeS

dc.contributor.authorHOUARI Chaima, ADJOUT Sonia
dc.date.accessioned2021-06-24T08:46:30Z
dc.date.available2021-06-24T08:46:30Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractCe travail a pour l’objectif d’étudier, par simulation utilisant le code de calculs Scaps, des performances et les propriétés d’une cellule photovoltaïque à base de matériaux semi-conducteurs ternaires CdSTe, et l’effet de la présence d’une couche intermédiaire (CdSxTe1-x) sur le rendement quantique et les caractéristiques essentielles de la cellule : le rendement (η%), le facteur de forme (FF), la tension de circuit ouvert (Vco), la densité de courant de court-circuit (Jsc).L’influence de la nature de la couche fenêtre et aussi l’introduction des défauts sur les performances des cellules ont été abordé avec succèsen_US
dc.identifier.urihttp://10.10.1.6:4000/handle/123456789/701
dc.language.isofren_US
dc.publisherFaculté des Sciences et Technologiesen_US
dc.relation.ispartofseries;SM/M/CH/2020/10
dc.subjectcellule photovoltaïque, couche intermédiaire, couche fenêtre, CdSxTe1-x, ITO, SnOx, SCAPS.en_US
dc.titleSIMULATION DES PROPRIETES ET PERFORMANCES DES CELLULES PHOTOVOLTAIQUES A BASE DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS TERNAIRES CdTeSen_US
dc.typeThesisen_US

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