Mécanismes de transport électrique dans une diode Schottky à base de SiC en polarisation inverse

Abstract

Une nouvelle méthode numérique pour déterminer la tension de transition inverse entre les mécanismes thermoïnique et tunnel a été réalisée pour la diode Schottky à base 4H-SiC. L’idée de cette méthode est basée sur l’égalité entre l’émission thermoïnique et le processus de l’effet tunnel et les deux sont combinés avec le modèle d’abaissement de la barrière Schottky. l’application de cette méthode montre un fort décalage entre nos résultants et ceux déduits du modèle de Padovani-Stratton. La courbe de la variation de la tension de transition inverse en fonction de température présente un pic inattendu aux basses températures, ce qui signifie que le mécanisme d’émission thermoïnique prédomine dans cette plage de basses températures. La tension de transition inverse augmente linéairement avec l’augmentation de la hauteur de la barrière, de la masse effective et de l’inverse de la concentration de dopage. Afin de prédire la tension de transition inverse en fonction de la température, de la concentration de dopage et de la hauteur de barrière pour la diode Schottky à base 4H-SiC, un modèle analytique a été propose.