Etude des propriétés optoélectroniques de l’alliage Semi-conducteur ternaire InxGa1-xSb

Abstract

Le but de ce travail est d'étudier les propriétés électroniques, optiques et diélectriques et la masse effective de l’alliage ternaire semi-conducteur InxGa1-xSb dans la structure zinc blende Ces alliages ont un intérêt important pour la conception des dispositifs optoélectroniques. Les calculs sont principalement basés sur l'approche du pseudo-potentiel empirique combinée avec l’approximation du cristal virtuel VCA. Nos résultats ont montré qu'en faisant varier la concentration de l’indium, l’alliage InxGa1-xSb présente un gap direct pour l’ intervalle (0 ≤ x ≤1) .Ce travail pourrait nous fournir des diverses possibilités pour l’obtention des indices de réfraction et des constantes diélectriques en faisant varier le compositions x.