study of the optoelectronic properties of an 𝐀𝐥𝐱𝐆𝐚𝟏−𝐱𝐀𝐬 ternary semiconductor alloy.

Abstract

The aim of this work is to study the electronic, optical and dielectric properties of semiconductor alloys AlxGa1−xAs As in the structure of zinc blende, because these alloys have great importance in the future manufacturing of photovoltaic devices. For our calculations, we mainly relied on the empirical pseudo-potential approach combined with the virtual crystal approximation (VCA). Our results showed that the alloy AlxGa1−xAs presents two energy gaps: a direct energy gap of 0 to 0.3 of the composition x, and an indirect energy gap of 0.4 to 1 depending on the change in aluminum concentration of composition x. Where this characteristic can offer the possibility of obtaining refractive index and dielectric constants. Our results are in good agreement with other experimental and theoretical findings Le but de ce travail est d'étudier les propriétés électroniques, optiques et diélectriques des alliages semi-conducteurs AlxGa1−xAs dans la structure du zinc blende, car ces alliages ont une grande importance dans l'avenir de la fabrication de dispositifs photovoltaïques. Pour nos calculs, nous nous sommes principalement appuyés sur l'approche empirique du pseudo-potentiel combinée à l'approximation du cristal virtuel (VCA). Nos résultats ont montré que l'alliage AlxGa1−xAs présente deux gaps d’énergies : un gap énergétique direct de 0 à 0,3 de la composition x, et un gap énergétique indirect de 0,4 à 1 en fonction du changement de la concentration en aluminium de la composition x. Là où cette caractéristique peut offrir la possibilité d'obtenir des indices de réfraction et des constantes diélectriques. Nos résultats concordent bien avec d'autres résultats expérimentaux et théoriques.