Le Transistor Bipolaire de La classe 〖Ge〗_(1-x)-〖Si〗_x
| dc.contributor.author | DRAIDI LAHSSEN | |
| dc.date.accessioned | 2021-07-07T09:22:49Z | |
| dc.date.available | 2021-07-07T09:22:49Z | |
| dc.date.issued | 2015 | |
| dc.description.abstract | l’objectif initial de ce travail explique le concept du TBH "SiGe" constitue une évolution du transistor à homojonction sur silicium, qui consiste à introduire dans la couche de base une proportion de germanium (Ge), dont le but est de former un alliage SixGe1-x. Cette évolution du matériau de base a plusieurs avantages pour la structure de bandes et les propriétés de transport. | en_US |
| dc.identifier.uri | http://10.10.1.6:4000/handle/123456789/842 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Faculté des Sciences et Technologies | en_US |
| dc.relation.ispartofseries | ;SM/M/CH/2017/05 | |
| dc.title | Le Transistor Bipolaire de La classe 〖Ge〗_(1-x)-〖Si〗_x | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |