Etude ab initio des propriétés physiques du séléniure de germanium (GeSe)

Abstract

Dans ce travail, nous avons fait une étude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et élastiques du séléniure de germanium (GeSe). Nos calculs ont été effectués dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT en utilisant les codes Quantum ESPRESSO et Thermo_pw. D’une façon générale, nos valeurs des paramètres de maille du GeSe dans les trois phases sont en bon accord avec ceux rapportés dans la littérature. Dans ses phases orthorhombiques 𝛼 et 𝛽, le composé présente un comportement semiconducteur, tandis que la phase hexagonale apparaît comme semi-métallique. L’introduction de la correction GGA-DFT-D3 conduit à une légère augmentation du gap électronique. Par ailleurs, les constantes élastiques plus élevées obtenues avec cette approche indiquent une plus grande rigidité du matériau. Les résultats mettent également en évidence une forte anisotropie du composé GeSe ainsi qu’une stabilité mécanique conforme aux critères de Born