Etude des propriétés optoélectroniques des alliages semi-conducteurs BeSxSe1-x
| dc.contributor.author | Rebiha, Slimani | |
| dc.date.accessioned | 2021-06-23T08:03:55Z | |
| dc.date.available | 2021-06-23T08:03:55Z | |
| dc.date.issued | 2019-09-15 | |
| dc.description.abstract | Notre travail fait l’étude des alliages ternaires BeSxSe1-x qui sont des semi-conducteurs formés par les éléments du groupe II et VI respectivement dont le but est de remplacer un atome d’un semi-conducteur binaire par un autre avec une certaine concentration afin de répondre aux besoins technologiques bien précis. En conséquence, l’objectif visé par notre travail est d’étudier l’effet de la concentration atomique sur les propriétés physiques des alliages ternaires tout en se basant sur leurs composés binaires. Cette étude était notre optique pour bien visualiser les semi-conducteurs ternaires. Mots clés : Alliages binaires ; Alliages ternaires ; Calcul | en_US |
| dc.identifier.uri | http://10.10.1.6:4000/handle/123456789/666 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Faculté des Sciences et Technologies | en_US |
| dc.relation.ispartofseries | ;SM/M/pH/2019/09 | |
| dc.subject | Alliages binaires ; Alliages ternaires ; Calcul ab initio ; Semi-conducteurs à large gap | en_US |
| dc.title | Etude des propriétés optoélectroniques des alliages semi-conducteurs BeSxSe1-x | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |