Contribution à l’étude des propriétés optoélectroniques de l’alliage semi-conducteur ternaire Yx Ga1-X N

dc.contributor.authorMessaoudi Oumelkhir
dc.date.accessioned2021-11-08T12:20:12Z
dc.date.available2021-11-08T12:20:12Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractLe but de notre travail est d’étudier les propriétés optoélectroniques (optiques et électroniques) de l’alliage semi-conducteur ternaire Yx Ga1-x N dans la structure Zinc blende. Ces alliages ont un intérêt important dans l’électronique. Notre calcule est basé sur la Méthode Pseudopotentiel Empirique (EPM) couplée à l’Approximation Cristal Virtuel (VCA). Nos résultats pour le gap énergétique, le structure des bandes, l’indice de réfraction et la constante diélectrique sont en très accord avec l’expérienceen_US
dc.identifier.urihttp://10.10.1.6:4000/handle/123456789/1130
dc.language.isofren_US
dc.publisherFaculté des Sciences et Technologiesen_US
dc.relation.ispartofseries;SM/M/PH/2021/09
dc.titleContribution à l’étude des propriétés optoélectroniques de l’alliage semi-conducteur ternaire Yx Ga1-X Nen_US
dc.typeThesisen_US

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