Interaction électron phonon dans un laser à puits quantique GaAs/ 𝐴𝑙𝑥𝐺𝑎1−𝑥As

Abstract

Résumé Nous étudions les principales caractéristiques des lasers, nous calculons la densité électronique dans les plans cristallographiques des matériaux GaAs et AlAs. Nous résolvons l’équation de Schrodinger pour déterminer les niveaux d’énergies des trous dans un puits quantique symétrique pour des largeurs de puits quantiques 25 Å et 30 Å. En basant sur l’approximation de la masse effective et la méthode k.p nous calculons la structure électronique de la bande de valence dans un puits quantique GaAs/Al0,25Ga0,75As. En utilisant la règle d’or de Fermi nous calculons les taux de diffusions des trous lourds et légers. Nos résultats montrent que les taux de diffusions pour les trous lourds sont plus importants que celui des trous légers.