Département Electronique
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Item Etude et conception d’un convertisseur analogique numérique pipeliné en technologie CMOS 0.18 μm(faculté des sciences et de la technologie, 2018-07-03) Brahimi Abdelhalim; Saidani OkbaIl existe différents types de convertisseurs analogiques numériques (CAN), l'un de ces convertisseurs est le CAN pipeliné. Le CAN pipeline est un convertisseur de Nyquist très populaire puisqu’il offre le meilleur compromis entre la résolution et la vitesse de conversion. Ce travail a pour but de l’étude et la conception d’un CAN pipeline à 8 bits basé sur l’architecture 1.5 bits/ étage en utilisant la technologie CMOS 0.18μm. Le logiciel LTSPICE est utilisé pour valider la conception par simulation. Ce manuscrit contient aussi une section théorique, des notions de base sur la conversion analogique numérique et les architectures les plus populaire. Ensuite, une analyse de la structure pipeline et ces composants individuels.Item Simulation numérique des propriétés acoustiques, électroniques et optoélectroniques des alliages semi-conducteurs(faculté des sciences et de la technologie* univ bba, 2019) BENMEKIDECHE Nadjatans cette tse nus avns tud les rrts structurales lectrnques lastques et tlectrnques des css calcgnures ternares de galu CsGaQ2 (Q = S, Se) KGaQ2 (Q = S, Se) et AGaTe2 (A = K, Cs) dans la structure nclnque us avns galeent tud les rrts structurales lectrnques tques et dynaques des css bnares AlAs AlP et leur allage AlAsxP1-x la tre de la fnctnnelle de la denst à t lente dans les cdes et ur tuder les dffrentes rrts ysques en questn Le tentel d'cange et de crrlatn est trat ar l'arxatn du gradent gnrals GG et l'arxatn de la denst lcale L n utre la fnctnnelle ybrde a t utlse ur calculer les rrts lectrnques des cses KGaQ2 et AGaTe2 L’arxatn du crstal vrtuel et la tre des erturbatns de la fnctnnelle de la denst nt t utlse ur suler les rrts de l’allage AlAsxP1-x L’effet de la cncentratn et de la ressn ur l’allage AlAsxP1-x snt dterns s rsultats snt d’une art en bn accrd avec les rsultats exrentaux et trques dsnblesItem Acquisition et Poursuite des Signaux GNSS Multifréquences et Multi-Constellations dans un milieu Outdoor(faculté des sciences et de la technologie* univ bba, 2019) CHEBIR SaifeddineLe positionnement est sérieusement affecté par la présence de signaux faibles puissances à l’entrée de l’antenne du récepteur du système de navigation par satellite GNSS. En effet, l'utilisation de tels signaux dans les méthodes de réception classiques est inévitable, car le nombre de signaux disponibles, qui sont alors limités à une seule constellation, est restreint. Pour contourner ce problème, nous proposons dans cette thèse deux contributions principales. La première consiste en la dérivation des expressions de la courbe de discrimination DC de la boucle de poursuite de code DLL pour une configuration non cohérente, en l’absence et en présence de multi-trajets MP. Nous proposons également la dérivation des expressions des erreurs de poursuite MP dans la même configuration. Les modèles proposés sont valables pour tous les signaux modulés en BOC(m,n) dans les systèmes de navigation par satellite GNSS tels que le GPS et le futur Galileo. La seconde contribution consiste en une méthode basée sur l’application de plusieurs transformations spécifiques aux signaux reçus en milieu urbain. De ce fait, un récepteur classique simple, qui réalise simultanément ces transformations, devient sensible à plusieurs signaux GNSS multi-constellations et multifréquences MC/MF et réalise ainsi, avec succès, leurs acquisitions collectives. Cette dernière méthode consiste en trois variantes ; la première, dédiée à la réception des signaux BOC(m,n), est basée sur un processus de sous-échantillonnage. La seconde est fondée sur le processus de sur-échantillonnage. La dernière permet l'acquisition de plus de cinq signaux GNSS par une seule réplique locale de forme d'onde composée de symboles codés binaires CBCS. Le schéma proposé présente une faible complexité, et donc un meilleur coût de réalisation. Les résultats de simulation, correspondant à notre première contribution, ont montré que les modèles proposés coïncident parfaitement avec les modèles numériques. D’autre part, la mise en oeuvre de la méthode proposée, qui correspond à notre deuxième contribution, constitue une véritable solution pour la réception des signaux MC/MF dans un environnement défavorableItem DÉBRUITAGE DES IMAGES EN TOMOGRAPHIE ÉLECTRONIQUE EN MODE ‘EFTEM’(faculté des sciences et de la technologie* univ bba, 2017-01-09) SID AHMED Soumiabjectif principal de cette thèse consiste à participer à l’état de l’art relatif au débruitage des images acquises par le microscope électronique, notamment en proposant un nouvel algorithme de débruitage d'images à multicopie bruitées via la transformée en contourlettes et sa variante la transformée en contourlettes avec localisation par fréquences saillantes SD. Après avoir exposé les limitations des filtres séparables et la Transformée en Ondelettes pour la suppression du bruit, nous avons mis en place des débruiteurs à base d'estimateurs bayésiens dans le domaine des CT et CTSD, en mettant à profit les statistiques marginales des coefficients des images dans des représentations multi-échelles et multi-directionelles. Ces lois marginales ont été analytiquement modélisées par le biais de la distribution α-stable. Dans l’optique d’analyser des comportements des algorithmes développés pour le débruitage, nous avons, au cours de cette thèse, travaillé sur des images provenant des échantillons préparés et observées de façon différente dans des conditions de temps d’acquisition standard au TEM. Evidemment, lorsque le temps d’exposition diminue afin de réduire le dommage induit par les électrons sur l’échantillon, le SNR également diminue indépendamment du type de préparation ou du mode d’observation. En effet, un des objectifs de notre travail, dans le cas de multicopie bruitée, était de réduire le temps d’exposition sans pour autant détériorer la qualité de l’image acquise. L’évaluation et l'étude comparative détaillée, établie entre la méthode développée et les différents débruiteurs déjà proposés dans la littérature, a montré que la nouvelle méthode se révèle plus performante en termes du SNR et qualité visuelle. La réduction du temps d'exposition dans l'acquisition des images EM, a été atteinte avec succès.Item Conception d'Antennes Planaires Reconfigurables pour Opération Large Bande et Multi-Bande(faculté des sciences et de la technologie univ bba, 2018) M. Braham Chaouche YoucefLe travail présenté dans cette thèse concerne l'étude et la conception d'antennes reconfigurables en fréquence pour les applications sans fil. Après avoir introduit les antennes imprimées, y compris les caractéristiques de ce type d’antennes, les techniques d’alimentation, ainsi qu’une description sur les antennes fractales, Ultra Large Bande (ULB) et multi-bandes. Un état de l’art sur les antennes reconfigurables et les différents types de reconfiguration existant ont été discutés. La première partittte est focalisée sur la réalisation pratique de trois nouvelles antennes fractales pour fonctionner dans la bande de fréquence allouée par la Commission fédérale de communication (FCC) pour les applications Ultra Large Bande (ULB). Dans la seconde partie de cette thèse, plusieurs prototypes d'antennes reconfigurables permettant diverses fonctions (un basculement entre mode multi-bandes) ont été simulés et réalisés. Les approches plus originales jugées, ont été implémentées avec des interrupteurs réels (diodes PIN). Les résultats expérimentaux concordent avec ceux obtenus par simulation et valident bien un fonctionnement reconfigurable nécessaire pour les systèmes de communication multimodesItem Etude et simulation de l’effet des différentes structure du corps humain sur le rendement d’un antenne implantable ISM 2.45 GHZ(Faculté des Sciences et Technologies, 2019) LAMIA, ZITOUNICe travail a pour but d’étudier l’effet de changement des propriétés diélectriques des tissus biologiques sur le comportement d’une antenne PIFA 2.45GHz implantable utilisée pour les dispositifs médicaux implantables dans les réseaux corporels sans fil WBAN tel que le pacemaker. L’antenne étudiée a était implantée dans une structure biologique constituée de quatre couches : muscle, graisse, peau et sang. Les propriétés diélectriques de ces tissus simulent l’effet de changement du niveau du glucose dans le sang. Les paramètres de l’antenne (coefficient de réflexion, diagramme de gain, le VSWR et la bande passante) calculés en utilisant le logiciel HFSS ont été discutés et interprétés. Une étude expérimentale complémentaire a été faite pour réaliser l’antenne simulée ainsi que le milieu d’implantation. Les résultats obtenus montrent clairement que les paramètres diélectriques des tissus biologiques affectent considérablement le rendement des antennes implantées.Item Analyse de la Suppression du Bruit pour les Systèmes SAC-OCDMA avec les Codes à Inter-Corrélation Fixe(Faculté des Sciences et Technologies, 2020) Abdelouaheb, AgouneLes performances des systèmes SAC-OCDMA sont principalement dégradées par la présence des bruits générés. Ce travail consiste à une étude comparative de trois techniques de détection (SPD, CSD et SDD) en fonction de la capacité de suppression de bruits durant le décodage du code EMD. Les résultats obtenus montrent que la technique SPD donne de meilleurs performance pour un BER acceptable de 10-9 en comparaison aves les techniques CSD et SDD.Item Identification des appareils électriques basée sur le classificateur KNN combiné avec la règle de vote(Faculté des Sciences et Technologies, 2020) Nour El Houda, BensbaaCes dernières années, la demande croissante de l’énergie électrique exige aux distributeurs d’électricité de réfléchir sur des solutions pratiques pour la bonne gestion de la consommation énergétique. L’installation des compteurs électriques intelligents devient une nécessité pour bien maitriser la consommation et d’économiser de l’énergie. Une fonction importante de ces compteurs consiste à fournir des informations en temps réel sur l’identité de l’appareil en état de fonctionnement ainsi que l’intervalle et la quantité de l’énergie consommée. Dans cette optique, nous avons proposé un système d’identification des appareils électriques domestiques basée sur l’analyse harmonique de Fourier et l’algorithme de classification KNN combiné avec la stratégie de règle de vote. Les performances du système sont évaluées en termes du taux de classification des signaux du courant électrique en utilisant la base de données COOLL. Les résultats nous ont montré de bonnes performances avec un taux de classification de 100% obtenu en utilisant l’algorithme KNN configuré avec un nombre k de vecteurs voisins égal à 1 et le type de distance ‘Cityblock’, combiné avec la règle de vote. Plus particulièrement, les résultats nous ont montré que l’extraction des vecteurs de trois paramètres d’harmoniques STFS (Short Time Fourier Séries) est suffisante pour obtenir ce taux de classification.Item Modélisation du transistor FET à base de semiconducteurs organiques(Faculté des Sciences et Technologies, 2020) Wassil, MekhalfiaL’utilisation des composés organiques comme matériaux actifs représente la prochaine génération technologique, cette nouvelle génération a dynamisé la recherche autour des transistors organiques à effet de champs (OFET) grâce à de nombreux avantages, et notamment : leur potentiel bas prix de fabrication et leur flexibilité. Cependant, les transistors organiques souffrent de nombreux défauts : courants faibles, l’injection de charges et la puissance dissipée, en dépit du développement et des progrès impressionnants dans leurs performances. De ce fait, la modélisation des dispositifs électroniques organiques constitue actuellement un axe de recherche très important et attractif à travers le monde. Ce travail porte sur la simulation du transistor organique, Le but de Ce travail est l'étude des transistors organiques à couches minces et de l'impact de différentes tailles de régions critiques sur leurs caractéristiques électriques. En optimisant les tailles de régions critiques du dispositif, la longueur du canal, la largeur du canal et également l'épaisseur de l'oxyde de grille. En particulier, l'étude de l'impact de ces paramètres pour la tension de seuil, Subthreshold Slope, Ion et transconductance maximale a été réalisée. Un modèle physique bidimensionnel d’OFET a été développé à l’aide du logiciel SILVACO (ATLAS). Les valeurs optimales de chaque simulation sont illustrées graphiquement et discutées. Les résultats acquis et les perspectives montrent l’intérêt de disposer d’outils de modélisation pour développer des composants ou des dispositifs performants à base d’OFETs. Enfin, une conclusion pour notre simulation est présentéeItem Etude et simulation par TCAD des effets de passivation sur les caractéristiques électriques d’un transistor 4H-SIC MOSFET(Faculté des Sciences et Technologies, 2020) Ahlem, NaidjiLes progrès technologiques des dernières décennies se sont déroulés à un rythme effréné. Du smartphone omniprésent aux nouvelles technologies comme l'iPad d'Apple ™ et la TV 3D, de nouvelles idées continuent de changer notre vie quotidienne et l'innovation ne montre aucun signe de ralentissement. À l'insu de la plupart du public, ces nouveaux produits ne sont rendus possibles que par l’innovation dans le domaine de la technologie des semiconducteurs. Un simulateur de processus à semi-conducteurs d’Athéna de silvaco que nous avons utilisés dans ce travail nous a permis de modéliser les effets des différentes étapes impliquées dans la fabrication des semi-conducteurs: croissance, gravure, dépôt, etc. La plupart des simulateurs de processus utilisés aujourd'hui y compris Athéna sont dérivés du code SUPREM.IV.GS qui était à l'origine développé au laboratoire de circuits intégrés de l'université de Stanford. SUPREM. IV.GS est depuis longtemps reconnue comme la norme de l'industrie en matière de simulation de processus, ses commandes intuitives font en sorte que les fichiers d'entrée de simulation de processus ressemblent aux étapes de processus d'un site de fabrication qu’on trouve dans une salle blanche. Ce genre de simulateur de dispositif à semi-conducteurs peut modéliser les propriétés électriques, optiques, thermiques et parfois même mécaniques des dispositifs. Ils peuvent être utilisés en mode autonome en définissant la structure du composant ou utilisés conjointement avec un simulateur de processus. Ces outils permettent à l'utilisateur de travailler sur l'ingénierie de la structure des bandes, le confinement quantique et d'autres optimisations qui seraient difficiles à réaliser en utilisant uniquement des résultats expérimentaux. La plupart de ces simulateurs de dispositifs sont basés sur l'analyse par éléments finis 2D / 3D des propriétés électriques, thermiques et optiques des dispositifs semi-conducteurs composés et silicium. Dans ce chapitre, nous allons d'abord simuler un transistor MOSFET à enrichissement sous une technologie 4H-SiC de type n à canal long (NMOS). Notez qu'en raison de la nature symétrique du MOSFET, nous allons d'abord simuler la moitié de la structure et utiliser l'instruction miroir pour compléter la structure MOS.