Caractérisation et fabrication de transistor bipolaire de la classe III-V
Date
2014
Authors
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Publisher
Faculté des Sciences et Technologies
Abstract
La recherche dans le domaine des sciences des matériaux et en particulier des semiconducteurs
a pris une ampleur considérable grâce à l‘enjeu économique du traitement de
l‘information comme l’invention de transistor en 1947 depuis les chercheurs n’ont cessé de
miniaturiser électronique. La technologie moderne basée sur l’amélioration de techniques de
fabrication pour avoir meilleur fiabilité.
Description
Keywords
Transistor, semi-conducteurs, jonction PN, MBE, MOCVD.