Caractérisation et fabrication de transistor bipolaire de la classe III-V
| dc.contributor.author | Saadi, Boudrouaz | |
| dc.date.accessioned | 2021-09-19T08:54:33Z | |
| dc.date.available | 2021-09-19T08:54:33Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.description.abstract | La recherche dans le domaine des sciences des matériaux et en particulier des semiconducteurs a pris une ampleur considérable grâce à l‘enjeu économique du traitement de l‘information comme l’invention de transistor en 1947 depuis les chercheurs n’ont cessé de miniaturiser électronique. La technologie moderne basée sur l’amélioration de techniques de fabrication pour avoir meilleur fiabilité. | en_US |
| dc.identifier.uri | http://10.10.1.6:4000/handle/123456789/1005 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Faculté des Sciences et Technologies | en_US |
| dc.relation.ispartofseries | ;SM/L/PH/2014/03 | |
| dc.subject | Transistor, semi-conducteurs, jonction PN, MBE, MOCVD. | en_US |
| dc.title | Caractérisation et fabrication de transistor bipolaire de la classe III-V | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
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