Calcul ab-initio des propriétés structurales et électroniques de GaN
dc.contributor.author | Bouguerra fatima zohra | |
dc.date.accessioned | 2021-06-27T12:37:07Z | |
dc.date.available | 2021-06-27T12:37:07Z | |
dc.date.issued | 2013-06-25 | |
dc.description.abstract | Dans ce mémoire nous avons utilisé un calcul Ab initio basé sur la théorie de DFT combinée avec la méthode de pseudo potentiel en utilisant le code appelé Abinit , ainsi que l’approximation de la densité local LDA , dans le but de calculer les propriétés structurales et électronique d’un composé de type III -V. C’est le nitrure de galium GaN qui se cristallise dans la phase zinc blend . ou nos résultats obtenus sont en très bon accord avec les données expérimentales ainsi que les valeurs calculées par les autres chercheurs . | en_US |
dc.identifier.uri | http://10.10.1.6:4000/handle/123456789/745 | |
dc.language.iso | fr | en_US |
dc.publisher | Faculté des Sciences et Technologies | en_US |
dc.relation.ispartofseries | ;EM/M/2013/19 | |
dc.title | Calcul ab-initio des propriétés structurales et électroniques de GaN | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |