Design and Implementation of a Mosfet/Igbt Gate Driver

Abstract

Ce mémoire traite de la conception et de l’optimisation des circuits de commande de grille pour transistors MOSFET, notamment pour une utilisation avec des semi-conducteurs à large bande interdite comme le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN). Il commence par une présentation des matériaux semi-conducteurs, en soulignant les avantages des matériaux à large bande par rapport au silicium traditionnel. Ensuite, il analyse le fonctionnement du convertisseur Buck ainsi que les paramètres clés influençant les performances des drivers de grille : charge de grille, vitesse de commutation, EMI et techniques d’isolation. Le dernier chapitre présente des implémentations pratiques de drivers isolés et non isolés, appuyées par des simulations et des circuits réels.