ransistor à effet de champ à grille oxydée (MOSFET) de GaAs
Date
2022-06-26
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Publisher
faculté des sciences et de la technologie univ bba
Abstract
Parmi les dispositifs semiconducteurs le MOSFET prendre une grande parti sur l’évolution
électronique moderne, dans cette mémoire on discussion la physique fondamentale des semiconducteurs, et de MOSFET, puis on précisé les états énergétiques des électrons dans la bande
de conduction sans et sous l’application d’un champ magnétique dans l’approximation d’un
puits infni pour un transistor de type MOSFET de l’arséniure de gallium (GaAs) à grille oxydé.