ransistor à effet de champ à grille oxydée (MOSFET) de GaAs
| dc.contributor.author | Azzoug Ayoub | |
| dc.date.accessioned | 2022-11-20T09:08:30Z | |
| dc.date.available | 2022-11-20T09:08:30Z | |
| dc.date.issued | 2022-06-26 | |
| dc.description.abstract | Parmi les dispositifs semiconducteurs le MOSFET prendre une grande parti sur l’évolution électronique moderne, dans cette mémoire on discussion la physique fondamentale des semiconducteurs, et de MOSFET, puis on précisé les états énergétiques des électrons dans la bande de conduction sans et sous l’application d’un champ magnétique dans l’approximation d’un puits infni pour un transistor de type MOSFET de l’arséniure de gallium (GaAs) à grille oxydé. | en_US |
| dc.identifier.uri | http://10.10.1.6:4000/handle/123456789/2635 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | faculté des sciences et de la technologie univ bba | en_US |
| dc.relation.ispartofseries | ;SM/M/PH/04 | |
| dc.title | ransistor à effet de champ à grille oxydée (MOSFET) de GaAs | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
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