Étude du taux d'érosion sous implantation ionique dans le silicium

Abstract

Le travail de ce mémoire porte sur l'étude du taux d'érosion sous implantation ionique dans le silicium (Si). Le programme SRIM nous permet de déterminer ce taux d'érosion en fonction de divers paramètres (angle d'incidence, énergie, masse de l'ion et celle de la cible). Les résultats des simulations sont présentés et discutés en tenant compte des divers phénomènes d'interaction ion-matière (pouvoirs d'arrêt).