Étude du taux d'érosion sous implantation ionique dans le silicium
| dc.contributor.author | Merzougui Houda | |
| dc.date.accessioned | 2025-07-29T09:08:16Z | |
| dc.date.issued | 2025-06-12 | |
| dc.description.abstract | Le travail de ce mémoire porte sur l'étude du taux d'érosion sous implantation ionique dans le silicium (Si). Le programme SRIM nous permet de déterminer ce taux d'érosion en fonction de divers paramètres (angle d'incidence, énergie, masse de l'ion et celle de la cible). Les résultats des simulations sont présentés et discutés en tenant compte des divers phénomènes d'interaction ion-matière (pouvoirs d'arrêt). | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-bba.dz/handle/123456789/408 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.publisher | Faculté des sciences et de la technologie | |
| dc.relation.ispartofseries | Département des sciences de la matiere; PH/M/2025/06 | |
| dc.subject | taux d'érosion | |
| dc.subject | pouvoirs d'arrêt | |
| dc.subject | pulvérisation ionique | |
| dc.subject | semi-conducteurs | |
| dc.subject | SRIM. | |
| dc.title | Étude du taux d'érosion sous implantation ionique dans le silicium | |
| dc.type | Thesis |