Etude des propriétés électroniques et positroniques de l’alliage ternaire GaP1-xNx
Date
2017-07-03
Authors
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Publisher
Faculté des Sciences et Technologies
Abstract
Le but de ce travail est d’étudier les propriétés électroniques et positroniques des
alliages semi-conducteurs ternaire III-V cristallisant dans la phase zinc-blende, à savoir:
GaP1-xNx.
Nous avons utilisé la méthode du pseudopotentiel combinée avec l’approximation
du cristal virtuel qui tient compte de l’effet de désordre compositionnel (VCAA), pour
déterminer les propriétés électroniques. Par contre pour l'étude des propriétés
positroniques la méthode du pseudopotentiel a été combinée au modèle de la particule
indépendante (EPM).
Nos résultats montrent une transition du gap indirect EΓ
X au gap direct EΓ
Γ au point
x=0.8. La structure de bande, la densité de charge, la masse effective, l'indice de
réfraction(𝑛) et les constantes diélectriques: statique (ε0) et de haute fréquence (ε∞) ont
été étudiés en fonction de la concentration de Nitrure.
D’autres caractéristiques, telles que les constantes élastiques C11, C12 et C44 , ainsi
que leur moyenne <Cii>, le potentiel chimique des positrons μ+, l'affinité positronique A+,
le potentiel de déformation Ed+, et la constante de diffusion du positron D+ ,ont été
étudiées aussi en fonction du désordre compositionnel x.
Nos résultats sont en bon accord par comparaison avec d’autres résultats
expérimentaux e tthéoriques, de ce fait, la méthode EPM est approuvable pour la
détermination des propriétés électroniques et positroniques de l’alliage GaP1-xNx.
Description
Keywords
Semiconducteurs, Alliages GaP1-xNx, VCAA, EPM, Particule Indépendante, Positron.