Etude des propriétés électroniques et positroniques de l’alliage ternaire GaP1-xNx

Abstract

Le but de ce travail est d’étudier les propriétés électroniques et positroniques des alliages semi-conducteurs ternaire III-V cristallisant dans la phase zinc-blende, à savoir: GaP1-xNx. Nous avons utilisé la méthode du pseudopotentiel combinée avec l’approximation du cristal virtuel qui tient compte de l’effet de désordre compositionnel (VCAA), pour déterminer les propriétés électroniques. Par contre pour l'étude des propriétés positroniques la méthode du pseudopotentiel a été combinée au modèle de la particule indépendante (EPM). Nos résultats montrent une transition du gap indirect EΓ X au gap direct EΓ Γ au point x=0.8. La structure de bande, la densité de charge, la masse effective, l'indice de réfraction(𝑛) et les constantes diélectriques: statique (ε0) et de haute fréquence (ε∞) ont été étudiés en fonction de la concentration de Nitrure. D’autres caractéristiques, telles que les constantes élastiques C11, C12 et C44 , ainsi que leur moyenne <Cii>, le potentiel chimique des positrons μ+, l'affinité positronique A+, le potentiel de déformation Ed+, et la constante de diffusion du positron D+ ,ont été étudiées aussi en fonction du désordre compositionnel x. Nos résultats sont en bon accord par comparaison avec d’autres résultats expérimentaux e tthéoriques, de ce fait, la méthode EPM est approuvable pour la détermination des propriétés électroniques et positroniques de l’alliage GaP1-xNx.