Résumé:
Dans ce mémoire, nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques du phosphure de gallium et
phosphure d’aluminium (GaP et AlP) qui sont des semi-conducteurs de type III-V dans la phase zinc blende (B3).
Nous avons utilisé un calcul ab-initio en utilisant le code Abinit basé sur la théorie de la fonctionnelle de la
densité DFT combinée avec la méthode des pseudopotentiels. Les équations de Kohn-Sham ont été résolues d’une
manière self-consistante en utilisant une base onde planes implantée dans le code ABINIT. Pour le traitement du
terme d’échange et de corrélation, nous avons utilisé l’approximation de la densité locale LDA. Nous avons étudiée
aussi les propriétés électronique (la structure de bande d’énergie et la densité d’états électronique) pour détermines
le gap d’énergie. Nos résultats sont on bon accord avec les valeurs expérimentales et d’autres valeurs théoriques.
